讲座题目🤞：化学气相沉积石墨烯单晶和粉体 主讲人：于庆凯 教授 主持人🦻🏻：袁清红 研究员 开始时间：2020-10-15 10:00 讲座地址⛹🏻♂️：闵行校区光学大楼A408会议室 主办单位🔺：精密光谱科学与技术国家重点实验室
报告人简介： 于庆凯，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员🛜。长期从事碳基材料生长工作，包括CVD方法生长石墨烯薄膜，石墨烯粉体，三维石墨烯结构，铜碳复合材料等。在Nature Materials, Advanced Materials等国际期刊发表学术论文60余篇🏇🏼，获得美国发明专利两件。 报告内容： 化学气相沉积（CVD）是低维材料生长的重要手段🧠。其中，在过去的十年中，CVD在石墨烯薄膜的生长取得诸多进展。然而，如何使用CVD生长石墨烯大单晶仍有挑战👨🏼🚀。另外如何能够利用CVD生长石墨烯具有低缺陷密度的优势，可以大规模生长石墨烯粉体也是尚未解决的问题。我们的工作在石墨烯大单晶和粉体两方面开展工作📛，拓展CVD方法在石墨烯生长领域的可能性🪂。我们发现铜镍合金镍元素的存在明显提高石墨烯的生长速度，并可以降低形核密度🤼♂️，通过局部供碳技术得到石墨烯大单晶。另外，我们通过鼓泡法在熔融铜中通入天然气，在铜与气氛界面生长石墨烯，并由气泡带走🤸🏼♀️，以粉体形式为最终产物👩🏻⚖️。由于此方法为连续生长法，现阶段实现在30升的容器中，日产三公斤石墨烯。此石墨烯粉体显示出良好的导电性😢。 Nenov, Francesco Segatta, Marco Garavelli, and Shaul Mukamel. (in preparation) |
